NTD6415AN, NVD6415AN
10
1
0.1
0.01
0.001
D = 0.01
0.02
0.01
0.05
0.2
0.5
SINGLE PULSE
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, PULSE TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
5
相关PDF资料
NTD6416AN-1G MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
NTD6416ANL-1G MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
NTD65N03RT4G MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK
NTD6600N-1G MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
NTD70N03R-1G MOSFET N-CH 25V 10A IPAK
NTD78N03T4G MOSFET N-CHAN 25V 78A DPAK
NTD80N02-1G MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
NTD85N02R-001 MOSFET N-CH 24V 12A IPAK
相关代理商/技术参数
NTD6416AN 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 17 A, 81 m
NTD6416AN-1G 功能描述:MOSFET NFET IPAK 100V 15A 86MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD6416ANL 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 19 A, 74 mΩ
NTD6416ANL-1G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 100V 15A 86MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD6416ANLT4G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 100V 17A 106MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD6416ANT4G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 100V 19A 96MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD6416ANT4G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:NTD Series N-Channel 100 V 81 mOhm 71 W Surface Mount Power MOSFET - DPAK-3
NTD65N03R 功能描述:MOSFET 25V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube